如圖3所示，用功率MOSFET構(gòu)成PWM逆變器,，用單片機作為信號源,，產(chǎn)生頻率為20～38 kHz的方波、2.5～3 W/cm2的功率;阻抗匹配使超聲電源向換能器負載實現(xiàn)最大功率傳輸,。圖3中VD1,，C1為自舉二極管和自舉電容，VD1必須使用與功率開關(guān)管相同耐壓等級的快恢復(fù)二極管,，自舉電容設(shè)計也至關(guān)重要,，C1的耐壓比功率器件充分導(dǎo)通時所需的驅(qū)動電壓(典型值為10 V)高。若在C1的充電路徑上有1.5 V的壓降,，且假定有一半的柵壓因泄露而降低,，則自舉電容C1可按式(4)來選取：
低頻超聲透皮儀中的超聲波驅(qū)動電路

而控制電路主要由單片機系統(tǒng)和驅(qū)動電路組成,。單片機系統(tǒng)通過自身的PWM驅(qū)動電路產(chǎn)生頻率為28 kHz的方波,，并將該信號送入IR2112驅(qū)動電路進行隔離放大后推動功率MOSFET工作。用半橋式逆變開關(guān)電路作為超聲波發(fā)生器的功放電路,，MOSFET1,、MOSFET2輪流導(dǎo)通，在變壓器的副邊可以得到一個交變的激勵信號,，從而實現(xiàn)逆變的功能,。而由R3，C4,，D1構(gòu)成的吸收電路,，吸收了功率開關(guān)引入的尖峰脈沖,，保護功率開關(guān)管。