如圖3所示,，用功率MOSFET構(gòu)成PWM逆變器,，用單片機(jī)作為信號(hào)源，產(chǎn)生頻率為20～38 kHz的方波,、2.5～3 W/cm2的功率;阻抗匹配使超聲電源向換能器負(fù)載實(shí)現(xiàn)最大功率傳輸,。圖3中VD1,，C1為自舉二極管和自舉電容，VD1必須使用與功率開(kāi)關(guān)管相同耐壓等級(jí)的快恢復(fù)二極管,，自舉電容設(shè)計(jì)也至關(guān)重要,，C1的耐壓比功率器件充分導(dǎo)通時(shí)所需的驅(qū)動(dòng)電壓(典型值為10 V)高。若在C1的充電路徑上有1.5 V的壓降,，且假定有一半的柵壓因泄露而降低,，則自舉電容C1可按式(4)來(lái)選取：
低頻超聲透皮儀中的超聲波驅(qū)動(dòng)電路

而控制電路主要由單片機(jī)系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)電路組成,。單片機(jī)系統(tǒng)通過(guò)自身的PWM驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生頻率為28 kHz的方波,，并將該信號(hào)送入IR2112驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行隔離放大后推動(dòng)功率MOSFET工作。用半橋式逆變開(kāi)關(guān)電路作為超聲波發(fā)生器的功放電路,，MOSFET1,、MOSFET2輪流導(dǎo)通，在變壓器的副邊可以得到一個(gè)交變的激勵(lì)信號(hào),，從而實(shí)現(xiàn)逆變的功能,。而由R3，C4,，D1構(gòu)成的吸收電路,，吸收了功率開(kāi)關(guān)引入的尖峰脈沖，保護(hù)功率開(kāi)關(guān)管,。