本報訊  （記者譚  嘉  通訊員劉寒雪蕭）學習、記憶有障礙的孩子,，能否增強記憶,、變得更聰明？我國研究人員歷時兩年多,，在國際上首次發(fā)現(xiàn)了增強記憶的細胞分子機制,。這一成果對攻克兒童生長發(fā)育過程中的學習記憶障礙，研究開發(fā)新的臨床藥物和治療新方法提供了可能,。該研究相關論文發(fā)表在美國《神經(jīng)藥理學雜志》2013年元月刊上,。

　　據(jù)了解,，人類的大腦皮層和海馬是形成學習與記憶等腦功能的關鍵腦區(qū)。此前,，科學家發(fā)現(xiàn)人體受到新環(huán)境刺激,，多接觸新鮮人和事，能增強學習記憶,，但記憶是如何增強的至今并不清楚,。2010年，重慶醫(yī)科大學兒科研究所認知發(fā)育與學習記憶障礙轉化醫(yī)學教育部重點實驗室董志芳教授課題組發(fā)現(xiàn),，大腦海馬區(qū)域的突觸傳遞效能長時程抑制（LTD）起著鞏固記憶的作用,，這項重要發(fā)現(xiàn)于2010年發(fā)表在《美國科學院院刊》上。

　　為進一步探索新環(huán)境刺激通過何種機制增強學習記憶,，董志芳與加拿大皇家科學院院士、重慶醫(yī)科大學附屬兒童醫(yī)院引進人才王玉田課題組合作,，利用世界先進的清醒動物電生理記錄和分子生物學技術,，對涉及新環(huán)境刺激誘導記憶增強的信號分子分別進行阻斷。結果發(fā)現(xiàn),，一些特異性阻斷劑能夠抑制新環(huán)境刺激易化的大腦海馬區(qū)LTD,。進一步研究顯示，新環(huán)境刺激誘導的學習記憶增強能夠被這些特異性阻斷劑抑制,，表明大腦海馬區(qū)LTD抑制是新環(huán)境刺激誘導記憶增強的必要條件,。同時，通過外界電刺激和藥理學方法可促進海馬區(qū)LTD的誘導,，可以模擬新環(huán)境刺激增強大鼠的學習記憶功能,，這表明誘導海馬區(qū)LTD在外界新環(huán)境刺激下可以引起記憶增強。